русский
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
О нас | Контакт | Запрос цитаты |
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - igbt - сингл > APT102GA60L
APT102GA60L
APT102GA60L
Тип продуктов:
APT102GA60L
производитель:
Microsemi
Описание:
IGBT 600V 183A 780W TO264
RoHS Статус:
Без свинца / Соответствует RoHS
Количество на складе:
67879 Pieces
Срок поставки:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Сроки изготовления:
4-8 weeks
Техническая спецификация:
APT102GA60L.pdf
запрос

Введение

We can supply APT102GA60L, use the request quote form to request APT102GA60L pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number APT102GA60L.The price and lead time for APT102GA60L depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# APT102GA60L.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Спецификация

Внутренний номер детали RO-APT102GA60L
Состояние Original New
Страна происхождения Contact us
Топ маркировки email us
замена See datasheet
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс):600V
Vce (на) (Max) @ VGE, Ic:2.5V @ 15V, 62A
режим для испытаний:400V, 62A, 4.7 Ohm, 15V
Td (вкл / выкл) при 25 ° C:28ns/212ns
Переключение энергии:1.354mJ (on), 1.614mJ (off)
Поставщик Упаковка устройства:TO-264 [L]
Серии:-
Мощность - Макс:780W
упаковка:Tube
Упаковка /:TO-264-3, TO-264AA
Другие названия:APT102GA60LMI
APT102GA60LMI-ND
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки:Through Hole
Уровень чувствительности влаги (MSL):1 (Unlimited)
Стандартное время изготовления:26 Weeks
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Тип ввода:Standard
Тип IGBT:PT
Заряд затвора:294nC
Подробное описание:IGBT PT 600V 183A 780W Through Hole TO-264 [L]
Ток - Коллектор Импульсные (ICM):307A
Ток - коллектор (Ic) (Макс):183A
Email:[email protected]

Быстрый запрос Цитировать

Тип продуктов
Количество
Компания
Эл. почта
Телефон
Примечание

Связанные части для APT102GA60L

Образ Тип продуктов Производители Описание Посмотреть
APT10M11JVR Microsemi MOSFET N-CH 100V 144A ISOTOP запрос
APT10M11B2VFRG Image APT10M11B2VFRG Microsemi MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX запрос
APT100GT60JRDQ4 Image APT100GT60JRDQ4 Microsemi IGBT 600V 148A 500W SOT227 запрос
APT100GT60JR Image APT100GT60JR Microsemi IGBT 600V 148A 500W SOT227 запрос
APT100MC120JCU2 Image APT100MC120JCU2 Microsemi MOSFET N-CH 1200V 143A ISOTOP запрос
APT100S20LCTG Image APT100S20LCTG Microsemi DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO264 запрос
APT106N60B2C6 Image APT106N60B2C6 Microsemi MOSFET N-CH 600V 106A TO-247 запрос
APT10M11JVRU2 Image APT10M11JVRU2 Microsemi MOSFET N-CH 100V 142A SOT227 запрос
APT10SCD120B Image APT10SCD120B Microsemi DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247 запрос
APT10SCD120BCT Image APT10SCD120BCT Microsemi DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247 запрос
APT10M09B2VFRG Image APT10M09B2VFRG Microsemi MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX запрос
APT100GT120JU3 Image APT100GT120JU3 Microsemi IGBT 1200V 140A 480W SOT227 запрос
APT10DC120HJ Image APT10DC120HJ Microsemi DIODE SIC SCHOTTKY 1200V SOT227 запрос
APT10M07JVR Microsemi MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP запрос
APT100M50J Image APT100M50J Microsemi MOSFET N-CH 500V 100A SOT-227 запрос
APT10M11JVRU3 Image APT10M11JVRU3 Microsemi MOSFET N-CH 100V 142A SOT227 запрос
APT100S20BG Image APT100S20BG Microsemi DIODE SCHOTTKY 200V 120A TO247 запрос
APT100GT120JU2 Image APT100GT120JU2 Microsemi IGBT 1200V 140A 480W SOT227 запрос
APT100GT60B2RG Image APT100GT60B2RG Microsemi IGBT 600V 148A 500W SOT247 запрос
APT102GA60B2 Image APT102GA60B2 Microsemi IGBT 600V 183A 780W TO247 запрос

Latest Новости