W9412G6KH-4
W9412G6KH-4
Modelo do Produto:
W9412G6KH-4
Fabricante:
Winbond Electronics Corporation
Descrição:
IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II
Status de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
58589 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempo de produção:
4-8 weeks
Ficha de dados:
W9412G6KH-4.pdf

Introdução

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Especificações

Número de peça interno RO-W9412G6KH-4
Condição Original New
País de origem Contact us
Marcação superior email us
Substituição See datasheet
Escrever Tempo do Ciclo - Palavra, Página:12ns
Tensão - Fornecimento:2.4 V ~ 2.7 V
Tecnologia:SDRAM - DDR
Embalagem do dispositivo fornecedor:66-TSOP II
Série:-
Embalagem:Tray
Caixa / Gabinete:66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Temperatura de operação:0°C ~ 70°C (TA)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):3 (168 Hours)
Tipo de memória:Volatile
Tamanho da memória:128Mb (8M x 16)
Interface de memória:Parallel
Formato de memória:DRAM
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Descrição detalhada:SDRAM - DDR Memory IC 128Mb (8M x 16) Parallel 250MHz 48ns 66-TSOP II
Freqüência de relógio:250MHz
Tempo de acesso:48ns
Email:[email protected]

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