W9412G6KH-4
- Modèle de produit:
- W9412G6KH-4
- Fabricant:
- Winbond Electronics Corporation
- La description:
- IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II
- Statut RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- la quantité en dépôt:
- 58589 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Temps de production:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- W9412G6KH-4.pdf
introduction
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Spécifications
| Numéro de pièce interne | RO-W9412G6KH-4 |
|---|---|
| État | Original New |
| Pays d'origine | Contact us |
| Top Marking | email us |
| Remplacement | See datasheet |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page: | 12ns |
| Tension - Alimentation: | 2.4 V ~ 2.7 V |
| La technologie: | SDRAM - DDR |
| Package composant fournisseur: | 66-TSOP II |
| Séries: | - |
| Emballage: | Tray |
| Package / Boîte: | 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) |
| Température de fonctionnement: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Type de mémoire: | Volatile |
| Taille mémoire: | 128Mb (8M x 16) |
| Interface mémoire: | Parallel |
| Format de mémoire: | DRAM |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Description détaillée: | SDRAM - DDR Memory IC 128Mb (8M x 16) Parallel 250MHz 48ns 66-TSOP II |
| Fréquence d'horloge: | 250MHz |
| Temps d'accès: | 48ns |
| Email: | [email protected] |
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