ULN2004AFWG,N,E
- Modelo do Produto:
- ULN2004AFWG,N,E
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrição:
- IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16SOL
- Status de RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 38511 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tempo de produção:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- ULN2004AFWG,N,E.pdf
Introdução
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Especificações
| Número de peça interno | RO-ULN2004AFWG,N,E |
|---|---|
| Condição | Original New |
| País de origem | Contact us |
| Marcação superior | email us |
| Substituição | See datasheet |
| Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max): | 50V |
| Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic: | 1.6V @ 500µA, 350mA |
| Tipo transistor: | 7 NPN Darlington |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | 16-SOL |
| Série: | - |
| Power - Max: | 1.25W |
| Embalagem: | Cut Tape (CT) |
| Caixa / Gabinete: | 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Outros nomes: | ULN2004AFWG(5ELMCT ULN2004AFWG(5ELMCT-ND ULN2004AFWG(O,NEHZCT ULN2004AFWG(O,NEHZCT-ND ULN2004AFWG(OELMCT ULN2004AFWG(OELMCT-ND ULN2004AFWGNECT |
| Temperatura de operação: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequência - Transição: | - |
| Descrição detalhada: | Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 500mA 1.25W 16-SOL |
| DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce: | 1000 @ 350mA, 2V |
| Atual - Collector Cutoff (Max): | 50µA |
| Atual - Collector (Ic) (Max): | 500mA |
| Número da peça base: | ULN200*A |
| Email: | [email protected] |
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