TPN4R712MD,L1Q
- Modelo do Produto:
- TPN4R712MD,L1Q
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrição:
- MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON ADV
- Status de RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 51703 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tempo de produção:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- TPN4R712MD,L1Q.pdf
Introdução
We can supply TPN4R712MD,L1Q, use the request quote form to request TPN4R712MD,L1Q pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number TPN4R712MD,L1Q.The price and lead time for TPN4R712MD,L1Q depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# TPN4R712MD,L1Q.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Especificações
| Número de peça interno | RO-TPN4R712MD,L1Q |
|---|---|
| Condição | Original New |
| País de origem | Contact us |
| Marcação superior | email us |
| Substituição | See datasheet |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 1.2V @ 1mA |
| Vgs (Max): | ±12V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| Série: | U-MOSVI |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 4.7 mOhm @ 18A, 4.5V |
| Dissipação de energia (Max): | 42W (Tc) |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | 8-PowerVDFN |
| Outros nomes: | TPN4R712MD,L1Q(M TPN4R712MDL1QTR |
| Temperatura de operação: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 4300pF @ 10V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 65nC @ 5V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Característica FET: | - |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 2.5V, 4.5V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 20V |
| Descrição detalhada: | P-Channel 20V 36A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 36A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Peças relacionadas para TPN4R712MD,L1Q
Latest Notícias
- A Toshiba desenvolveu o primeiro módulo MOSFET de 2200V de 2200V de 2200V para ajudar a eficiente e a miniaturização de equipamentos industriais
- Toshiba lançou o primeiro optocuplador de carro de saída de transistor de 200V
- TOSHIBA lança uma alta taxa de rejeição de ondulação e regulador LDO de baixo ruído com maior estabilidade da linha de energia
- A TOSHIBA introduziu optoacopladores leves e finos para IGBT e MOSFET gate drive, operação em alta temperatura, posição traseira ou com restrição de altura: TLP5751H, TLP5752H, TLP5754H
- A TOSHIBA lança IGBTs discretos que ajudam a reduzir o consumo de energia e a radiação de eletrodomésticos: GT30J110SRA
- Toshiba lança 5A 2 canais H-bridge motor driver IC para aplicações automotivas
- A Toshiba lança 5 novos microcontroladores avançados da família TXZ + ™ para atingir baixo consumo de energia, miniaturização do sistema de suporte e controle do motor