TPN13008NH,L1Q
TPN13008NH,L1Q
Modelo do Produto:
TPN13008NH,L1Q
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição:
MOSFET N-CH 80V 40A 8TSON
Status de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
60347 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempo de produção:
4-8 weeks
Ficha de dados:
TPN13008NH,L1Q.pdf

Introdução

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Especificações

Número de peça interno RO-TPN13008NH,L1Q
Condição Original New
País de origem Contact us
Marcação superior email us
Substituição See datasheet
VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 200µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-TSON Advance (3.3x3.3)
Série:U-MOSVIII-H
RDS ON (Max) @ Id, VGS:13.3 mOhm @ 9A, 10V
Dissipação de energia (Max):700mW (Ta), 42W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-PowerVDFN
Outros nomes:TPN13008NH,L1Q(M
TPN13008NHL1QTR
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1600pF @ 40V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:18nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):80V
Descrição detalhada:N-Channel 80V 18A (Tc) 700mW (Ta), 42W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:18A (Tc)
Email:[email protected]

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