TPCA8105(TE12L,Q,M
Modelo do Produto:
TPCA8105(TE12L,Q,M
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição:
MOSFET P-CH 12V 6A SOP-8 ADV
Status de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
38338 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempo de produção:
4-8 weeks
Ficha de dados:
1.TPCA8105(TE12L,Q,M.pdf2.TPCA8105(TE12L,Q,M.pdf

Introdução

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Especificações

Número de peça interno RO-TPCA8105(TE12L,Q,M
Condição Original New
País de origem Contact us
Marcação superior email us
Substituição See datasheet
VGS (th) (Max) @ Id:1.2V @ 200µA
Vgs (Max):±8V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-SOP Advance (5x5)
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:33 mOhm @ 3A, 4.5V
Dissipação de energia (Max):1.6W (Ta), 20W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-PowerVDFN
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1600pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:18nC @ 5V
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):1.8V, 4.5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):12V
Descrição detalhada:P-Channel 12V 6A (Ta) 1.6W (Ta), 20W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:6A (Ta)
Email:[email protected]

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