TPC8014(TE12L,Q,M)
Modelo do Produto:
TPC8014(TE12L,Q,M)
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B
Status de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
34471 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempo de produção:
4-8 weeks
Ficha de dados:
1.TPC8014(TE12L,Q,M).pdf2.TPC8014(TE12L,Q,M).pdf

Introdução

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Especificações

Número de peça interno RO-TPC8014(TE12L,Q,M)
Condição Original New
País de origem Contact us
Marcação superior email us
Substituição See datasheet
VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-SOP (5.5x6.0)
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:14 mOhm @ 5.5A, 10V
Dissipação de energia (Max):1W (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1860pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:39nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição detalhada:N-Channel 30V 11A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:11A (Ta)
Email:[email protected]

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