TPC6111(TE85L,F,M)
TPC6111(TE85L,F,M)
Modelo do Produto:
TPC6111(TE85L,F,M)
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição:
MOSFET P-CH 20V 5.5A VS-6
Status de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
38342 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempo de produção:
4-8 weeks
Ficha de dados:
1.TPC6111(TE85L,F,M).pdf2.TPC6111(TE85L,F,M).pdf

Introdução

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Especificações

Número de peça interno RO-TPC6111(TE85L,F,M)
Condição Original New
País de origem Contact us
Marcação superior email us
Substituição See datasheet
VGS (th) (Max) @ Id:1V @ 1mA
Vgs (Max):±8V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:VS-6 (2.9x2.8)
Série:U-MOSV
RDS ON (Max) @ Id, VGS:40 mOhm @ 2.8A, 4.5V
Dissipação de energia (Max):700mW (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Outros nomes:TPC6111(TE85L,F)
TPC6111(TE85LFM)TR
TPC6111TE85LFM
TPC6111TE85LFTR
TPC6111TE85LFTR-ND
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:700pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:10nC @ 5V
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):1.5V, 4.5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):20V
Descrição detalhada:P-Channel 20V 5.5A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount VS-6 (2.9x2.8)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:5.5A (Ta)
Email:[email protected]

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