TK31N60W5,S1VF
TK31N60W5,S1VF
Modelo do Produto:
TK31N60W5,S1VF
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-247
Status de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
48675 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempo de produção:
4-8 weeks
Ficha de dados:
TK31N60W5,S1VF.pdf

Introdução

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Especificações

Número de peça interno RO-TK31N60W5,S1VF
Condição Original New
País de origem Contact us
Marcação superior email us
Substituição See datasheet
VGS (th) (Max) @ Id:4.5V @ 1.5mA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-247
Série:DTMOSIV
RDS ON (Max) @ Id, VGS:99 mOhm @ 15.4A, 10V
Dissipação de energia (Max):230W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-247-3
Outros nomes:TK31N60W5,S1VF(S
TK31N60W5,S1VF-ND
TK31N60W5S1VF
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:3000pF @ 300V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:105nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):600V
Descrição detalhada:N-Channel 600V 30.8A (Ta) 230W (Tc) Through Hole TO-247
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:30.8A (Ta)
Email:[email protected]

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