TK100S04N1L,LQ
TK100S04N1L,LQ
Modelo do Produto:
TK100S04N1L,LQ
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição:
MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
Status de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
59067 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempo de produção:
4-8 weeks
Ficha de dados:
TK100S04N1L,LQ.pdf

Introdução

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Especificações

Número de peça interno RO-TK100S04N1L,LQ
Condição Original New
País de origem Contact us
Marcação superior email us
Substituição See datasheet
VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 500µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:DPAK+
Série:U-MOSVIII-H
RDS ON (Max) @ Id, VGS:2.3 mOhm @ 50A, 10V
Dissipação de energia (Max):100W (Tc)
Embalagem:Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Outros nomes:TK100S04N1LLQCT
Temperatura de operação:175°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:5490pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:76nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):40V
Descrição detalhada:N-Channel 40V 100A (Ta) 100W (Tc) Surface Mount DPAK+
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:100A (Ta)
Email:[email protected]

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