SSM6N61NU,LF
SSM6N61NU,LF
Modelo do Produto:
SSM6N61NU,LF
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição:
MOSFET 2N-CH 20V 4A UDFN
Status de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
63504 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempo de produção:
4-8 weeks
Ficha de dados:
SSM6N61NU,LF.pdf

Introdução

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Especificações

Número de peça interno RO-SSM6N61NU,LF
Condição Original New
País de origem Contact us
Marcação superior email us
Substituição See datasheet
VGS (th) (Max) @ Id:1V @ 1mA
Embalagem do dispositivo fornecedor:6-UDFNB (2x2)
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:33 mOhm @ 4A, 4.5V
Power - Max:2W
Embalagem:Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete:6-WDFN Exposed Pad
Outros nomes:SSM6N61NULFCT
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:410pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:3.6nC @ 4.5V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Característica FET:Logic Level Gate, 1.5V Drive
Escorra a tensão de fonte (Vdss):20V
Descrição detalhada:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 4A 2W Surface Mount 6-UDFNB (2x2)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:4A
Email:[email protected]

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