SSM3K318R,LF
- Modelo do Produto:
- SSM3K318R,LF
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrição:
- MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM
- Status de RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 83740 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tempo de produção:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- SSM3K318R,LF.pdf
Introdução
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Especificações
| Número de peça interno | RO-SSM3K318R,LF |
|---|---|
| Condição | Original New |
| País de origem | Contact us |
| Marcação superior | email us |
| Substituição | See datasheet |
| Tensão - Teste: | 235pF @ 30V |
| Tensão - Breakdown: | SOT-23F |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 107 mOhm @ 2A, 10V |
| Vgs (Max): | 4.5V, 10V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Série: | U-MOSIV |
| Status de RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 2.5A (Ta) |
| Polarização: | SOT-23-3 Flat Leads |
| Outros nomes: | SSM3K318R,LF(B SSM3K318R,LF(T SSM3K318RLF SSM3K318RLFTR |
| Temperatura de operação: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 16 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | SSM3K318R,LF |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 7nC @ 10V |
| Tipo de IGBT: | ±20V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 2.8V @ 1mA |
| Característica FET: | N-Channel |
| Descrição expandida: | N-Channel 60V 2.5A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-23F |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | - |
| Descrição: | MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 60V |
| Rácio de capacitância: | 1W (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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