SQ2361EES-T1-GE3
Modelo do Produto:
SQ2361EES-T1-GE3
Fabricante:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrição:
MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT23
Status de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
76708 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempo de produção:
4-8 weeks
Ficha de dados:
SQ2361EES-T1-GE3.pdf

Introdução

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Especificações

Número de peça interno RO-SQ2361EES-T1-GE3
Condição Original New
País de origem Contact us
Marcação superior email us
Substituição See datasheet
VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:SOT-23-3 (TO-236)
Série:TrenchFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:150 mOhm @ 2.4A, 10V
Dissipação de energia (Max):2W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Outros nomes:SQ2361EES-T1-GE3TR
SQ2361EEST1GE3
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:545pF @ 30V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:17nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):60V
Descrição detalhada:P-Channel 60V 2.5A (Tc) 2W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:2.5A (Tc)
Email:[email protected]

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