SQ2325ES-T1_GE3
- Modelo do Produto:
- SQ2325ES-T1_GE3
- Fabricante:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Descrição:
- MOSFET P-CH 150V 840MA TO236
- Status de RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 46100 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tempo de produção:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- SQ2325ES-T1_GE3.pdf
Introdução
We can supply SQ2325ES-T1_GE3, use the request quote form to request SQ2325ES-T1_GE3 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number SQ2325ES-T1_GE3.The price and lead time for SQ2325ES-T1_GE3 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# SQ2325ES-T1_GE3.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Especificações
| Número de peça interno | RO-SQ2325ES-T1_GE3 |
|---|---|
| Condição | Original New |
| País de origem | Contact us |
| Marcação superior | email us |
| Substituição | See datasheet |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 3.5V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | TO-236 (SOT-23) |
| Série: | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 1.77 Ohm @ 500mA, 10V |
| Dissipação de energia (Max): | 3W (Tc) |
| Embalagem: | Cut Tape (CT) |
| Caixa / Gabinete: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Outros nomes: | SQ2325ES-T1_GE3CT |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 175°C (TA) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 250pF @ 50V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 10nC @ 10V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Característica FET: | - |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 10V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 150V |
| Descrição detalhada: | P-Channel 150V 840mA (Tc) 3W (Tc) Surface Mount TO-236 (SOT-23) |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 840mA (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Peças relacionadas para SQ2325ES-T1_GE3
Latest Notícias
- Toshiba lança o IC do driver de portão da série SmartMCD com microcontrolador incorporado
- Implantação adi kit sambanova, promovendo a fórmula de produção ai para alcançar o avanço em um nível corporativo
- Honeywell e Adi uniram as mãos para promover a inovação e a mudança de automação de construção
- Maxim anunciou o lançamento
- Maxim lança um carro DC-DC Converter Max16984, um carro com enumers de carregamento USB integrado
- Renesas Electronics lança o primeiro driver elétrico programável da indústria IC
- Renesas lançou a primeira geração de kernel CPU RISC-V de 32 bits
- Vishay lançou o novo acoplamento de luz de baixa potência de 10 MBD, tão baixo quanto 5 mA, a faixa de tensão é de 2,7 V a 5,5 V
- Melexis lançou uma nova solução inteligente de desviar para integrar segurança confiável
- A Toshiba desenvolveu o primeiro módulo MOSFET de 2200V de 2200V de 2200V para ajudar a eficiente e a miniaturização de equipamentos industriais
- A era DDR5 está se aproximando e novos desafios não podem ser ignorados
- Renesas abre o próximo mapa de rota do Processor Car SoC e MCU Processador MCU