SIZ342DT-T1-GE3
- Modelo do Produto:
- SIZ342DT-T1-GE3
- Fabricante:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Descrição:
- MOSFET DL N-CH 30V POWERPAIR3X3
- Status de RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 81140 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tempo de produção:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- SIZ342DT-T1-GE3.pdf
Introdução
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Especificações
| Número de peça interno | RO-SIZ342DT-T1-GE3 |
|---|---|
| Condição | Original New |
| País de origem | Contact us |
| Marcação superior | email us |
| Substituição | See datasheet |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.4V @ 250µA |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | 8-Power33 (3x3) |
| Série: | TrenchFET® |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 11.5 mOhm @ 14A, 10V |
| Power - Max: | 3.6W, 4.3W |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | 8-PowerWDFN |
| Outros nomes: | SIZ342DT-T1-GE3TR |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 32 Weeks |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 650pF @ 15V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 20nC @ 10V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Característica FET: | - |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 30V |
| Descrição detalhada: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 15.7A (Ta), 100A (Tc) 3.6W, 4.3W Surface Mount 8-Power33 (3x3) |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 15.7A (Ta), 100A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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