SIZ342DT-T1-GE3
- Modèle de produit:
- SIZ342DT-T1-GE3
- Fabricant:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- La description:
- MOSFET DL N-CH 30V POWERPAIR3X3
- Statut RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- la quantité en dépôt:
- 81140 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Temps de production:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- SIZ342DT-T1-GE3.pdf
introduction
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Spécifications
| Numéro de pièce interne | RO-SIZ342DT-T1-GE3 |
|---|---|
| État | Original New |
| Pays d'origine | Contact us |
| Top Marking | email us |
| Remplacement | See datasheet |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.4V @ 250µA |
| Package composant fournisseur: | 8-Power33 (3x3) |
| Séries: | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 11.5 mOhm @ 14A, 10V |
| Puissance - Max: | 3.6W, 4.3W |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | 8-PowerWDFN |
| Autres noms: | SIZ342DT-T1-GE3TR |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 32 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 650pF @ 15V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 20nC @ 10V |
| type de FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Fonction FET: | - |
| Tension drain-source (Vdss): | 30V |
| Description détaillée: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 15.7A (Ta), 100A (Tc) 3.6W, 4.3W Surface Mount 8-Power33 (3x3) |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 15.7A (Ta), 100A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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