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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Arrays de transistores - Bipolar (BJT)- > SG2823J-DESC
SG2823J-DESC
SG2823J-DESC
Modelo do Produto:
SG2823J-DESC
Fabricante:
Microsemi
Descrição:
TRANS 8NPN DARL 95V 0.5A 18DIP
Status de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
87877 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempo de produção:
4-8 weeks
Ficha de dados:
SG2823J-DESC.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Número de peça interno RO-SG2823J-DESC
Condição Original New
País de origem Contact us
Marcação superior email us
Substituição See datasheet
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):95V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:1.6V @ 500µA, 350mA
Tipo transistor:8 NPN Darlington
Embalagem do dispositivo fornecedor:18-CDIP
Série:-
Power - Max:-
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:-
Outros nomes:1259-1088
1259-1088-MIL
5962-8968501VA
SG2823JDESC
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição:-
Descrição detalhada:Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 95V 500mA Through Hole 18-CDIP
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:1000 @ 350mA, 2V
Atual - Collector Cutoff (Max):-
Atual - Collector (Ic) (Max):500mA
Email:[email protected]

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Observações

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