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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-bipolar (BJT)-matrices > SG2823J-DESC
SG2823J-DESC
SG2823J-DESC
Número de pieza:
SG2823J-DESC
Fabricante:
Microsemi
Descripción:
TRANS 8NPN DARL 95V 0.5A 18DIP
Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad en inventario:
87877 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tiempo de producción:
4-8 weeks
Ficha de datos:
SG2823J-DESC.pdf
Investigación

Introducción

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Especificaciones

Número de parte interno RO-SG2823J-DESC
Condición Original New
País de origen Contact us
Marcado superior email us
Reemplazo See datasheet
Tensión - Colector-emisor (máx):95V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic:1.6V @ 500µA, 350mA
Tipo de transistor:8 NPN Darlington
Paquete del dispositivo:18-CDIP
Serie:-
Potencia - Max:-
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:-
Otros nombres:1259-1088
1259-1088-MIL
5962-8968501VA
SG2823JDESC
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición:-
Descripción detallada:Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 95V 500mA Through Hole 18-CDIP
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce:1000 @ 350mA, 2V
Corriente - corte del colector (Max):-
Corriente - colector (Ic) (Max):500mA
Email:[email protected]

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