MURT10060
- Modelo do Produto:
- MURT10060
- Fabricante:
- GeneSiC Semiconductor
- Descrição:
- DIODE ARRAY GP 600V 100A 3TOWER
- Status de RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 82787 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tempo de produção:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- 1.MURT10060.pdf2.MURT10060.pdf
Introdução
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Especificações
| Número de peça interno | RO-MURT10060 |
|---|---|
| Condição | Original New |
| País de origem | Contact us |
| Marcação superior | email us |
| Substituição | See datasheet |
| Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se: | 1.7V @ 100A |
| Tensão - DC reversa (Vr) (Max): | 600V |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | Three Tower |
| Velocidade: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Série: | - |
| Inversa de tempo de recuperação (trr): | 75ns |
| Embalagem: | Bulk |
| Caixa / Gabinete: | Three Tower |
| Outros nomes: | MURT10060GN |
| Temperatura de Operação - Junção: | -40°C ~ 175°C |
| Tipo de montagem: | Chassis Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 4 Weeks |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo Diode: | Standard |
| configuração de diodo: | - |
| Descrição detalhada: | Diode Array Standard 600V 100A (DC) Chassis Mount Three Tower |
| Atual - dispersão reversa @ Vr: | 25µA @ 50V |
| Atual - rectificada média (Io) (por Diode): | 100A (DC) |
| Email: | [email protected] |
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