MURT10020
MURT10020
Modelo do Produto:
MURT10020
Fabricante:
GeneSiC Semiconductor
Descrição:
DIODE ARRAY GP 200V 100A 3TOWER
Status de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
72741 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempo de produção:
4-8 weeks
Ficha de dados:
1.MURT10020.pdf2.MURT10020.pdf

Introdução

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Especificações

Número de peça interno RO-MURT10020
Condição Original New
País de origem Contact us
Marcação superior email us
Substituição See datasheet
Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se:1.3V @ 50A
Tensão - DC reversa (Vr) (Max):200V
Embalagem do dispositivo fornecedor:Three Tower
Velocidade:Fast Recovery = 200mA (Io)
Série:-
Inversa de tempo de recuperação (trr):75ns
Embalagem:Bulk
Caixa / Gabinete:Three Tower
Outros nomes:MURT10020GN
Temperatura de Operação - Junção:-40°C ~ 175°C
Tipo de montagem:Chassis Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:4 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Tipo Diode:Standard
configuração de diodo:-
Descrição detalhada:Diode Array Standard 200V 100A (DC) Chassis Mount Three Tower
Atual - dispersão reversa @ Vr:25µA @ 50V
Atual - rectificada média (Io) (por Diode):100A (DC)
Email:[email protected]

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