MUN5113DW1T1G
MUN5113DW1T1G
Modelo do Produto:
MUN5113DW1T1G
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
Status de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
76535 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempo de produção:
4-8 weeks
Ficha de dados:
MUN5113DW1T1G.pdf

Introdução

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Especificações

Número de peça interno RO-MUN5113DW1T1G
Condição Original New
País de origem Contact us
Marcação superior email us
Substituição See datasheet
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):100mA
Tensão - Breakdown:SC-88/SC70-6/SOT-363
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:50V
Série:-
Status de RoHS:Tape & Reel (TR)
Resistor - Emissor Base (R2) (Ohms):47k
Resistor - Base (R1) (Ohms):-
Power - Max:250mW
Polarização:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Outros nomes:MUN5113DW1T1G-ND
MUN5113DW1T1GOSTR
Fator de ruído (dB Typ @ f):47k
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:10 Weeks
Número de peça do fabricante:MUN5113DW1T1G
Frequência - Transição:80 @ 5mA, 10V
Descrição expandida:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Descrição:TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:500nA
Atual - Collector Cutoff (Max):250mV @ 300µA, 10mA
Atual - Collector (Ic) (Max):2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Email:[email protected]

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