MUN5111DW1T1G
MUN5111DW1T1G
Modelo do Produto:
MUN5111DW1T1G
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
Status de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
60490 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempo de produção:
4-8 weeks
Ficha de dados:
MUN5111DW1T1G.pdf

Introdução

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Especificações

Número de peça interno RO-MUN5111DW1T1G
Condição Original New
País de origem Contact us
Marcação superior email us
Substituição See datasheet
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:250mV @ 300µA, 10mA
Tipo transistor:2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Embalagem do dispositivo fornecedor:SC-88/SC70-6/SOT-363
Série:-
Resistor - Base do Emissor (R2):10 kOhms
Resistor - Base (R1):10 kOhms
Power - Max:250mW
Embalagem:Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Outros nomes:MUN5111DW1T1GOSCT
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:40 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição:-
Descrição detalhada:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:35 @ 5mA, 10V
Atual - Collector Cutoff (Max):500nA
Atual - Collector (Ic) (Max):100mA
Número da peça base:MUN51**DW1T
Email:[email protected]

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