Número de peça interno | RO-MR25H10MDC |
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Condição | Original New |
País de origem | Contact us |
Marcação superior | email us |
Substituição | See datasheet |
Escrever Tempo do Ciclo - Palavra, Página: | - |
Tensão - Fornecimento: | 2.7 V ~ 3.6 V |
Tecnologia: | MRAM (Magnetoresistive RAM) |
Embalagem do dispositivo fornecedor: | 8-DFN-EP, Large Flag (5x6) |
Série: | Automotive, AEC-Q100 |
Embalagem: | Tray |
Caixa / Gabinete: | 8-TDFN Exposed Pad |
Outros nomes: | 819-1047 MR25H10MDC-ND |
Temperatura de operação: | -40°C ~ 125°C (TA) |
Tipo de montagem: | Surface Mount |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 3 (168 Hours) |
Tipo de memória: | Non-Volatile |
Tamanho da memória: | 1Mb (128K x 8) |
Interface de memória: | SPI |
Formato de memória: | RAM |
Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Descrição detalhada: | MRAM (Magnetoresistive RAM) Memory IC 1Mb (128K x 8) SPI 40MHz 8-DFN-EP, Large Flag (5x6) |
Freqüência de relógio: | 40MHz |
Email: | [email protected] |