Número de parte interno | RO-MR25H10MDC |
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Condición | Original New |
País de origen | Contact us |
Marcado superior | email us |
Reemplazo | See datasheet |
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página: | - |
Suministro de voltaje: | 2.7 V ~ 3.6 V |
Tecnología: | MRAM (Magnetoresistive RAM) |
Paquete del dispositivo: | 8-DFN-EP, Large Flag (5x6) |
Serie: | Automotive, AEC-Q100 |
embalaje: | Tray |
Paquete / Cubierta: | 8-TDFN Exposed Pad |
Otros nombres: | 819-1047 MR25H10MDC-ND |
Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 125°C (TA) |
Tipo de montaje: | Surface Mount |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 3 (168 Hours) |
Tipo de memoria: | Non-Volatile |
Tamaño de la memoria: | 1Mb (128K x 8) |
Interfaz de memoria: | SPI |
Formato de memoria: | RAM |
Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Descripción detallada: | MRAM (Magnetoresistive RAM) Memory IC 1Mb (128K x 8) SPI 40MHz 8-DFN-EP, Large Flag (5x6) |
Frecuencia de reloj: | 40MHz |
Email: | [email protected] |