HN3C51F-GR(TE85L,F
- Modelo do Produto:
- HN3C51F-GR(TE85L,F
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrição:
- TRANS 2NPN 120V 0.1A SM6
- Status de RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 59766 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tempo de produção:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- HN3C51F-GR(TE85L,F.pdf
Introdução
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Especificações
| Número de peça interno | RO-HN3C51F-GR(TE85L,F |
|---|---|
| Condição | Original New |
| País de origem | Contact us |
| Marcação superior | email us |
| Substituição | See datasheet |
| Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max): | 120V |
| Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 1mA, 10mA |
| Tipo transistor: | 2 NPN (Dual) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | SM6 |
| Série: | - |
| Power - Max: | 300mW |
| Embalagem: | Original-Reel® |
| Caixa / Gabinete: | SC-74, SOT-457 |
| Outros nomes: | HN3C51F-GR(TE85LF)DKR HN3C51F-GR(TE85LF)DKR-ND HN3C51F-GR(TE85LFDKR |
| Temperatura de operação: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequência - Transição: | 100MHz |
| Descrição detalhada: | Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 120V 100mA 100MHz 300mW Surface Mount SM6 |
| DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce: | 200 @ 2mA, 6V |
| Atual - Collector Cutoff (Max): | 100nA (ICBO) |
| Atual - Collector (Ic) (Max): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
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