HN2C01FEYTE85LF
HN2C01FEYTE85LF
Modelo do Produto:
HN2C01FEYTE85LF
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição:
TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6
Status de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
81931 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempo de produção:
4-8 weeks
Ficha de dados:
HN2C01FEYTE85LF.pdf

Introdução

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Especificações

Número de peça interno RO-HN2C01FEYTE85LF
Condição Original New
País de origem Contact us
Marcação superior email us
Substituição See datasheet
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:250mV @ 10mA, 100mA
Tipo transistor:2 NPN (Dual)
Embalagem do dispositivo fornecedor:ES6
Série:-
Power - Max:100mW
Embalagem:Original-Reel®
Caixa / Gabinete:SOT-563, SOT-666
Outros nomes:HN2C01FEYTE85LFDKR
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição:60MHz
Descrição detalhada:Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 50V 150mA 60MHz 100mW Surface Mount ES6
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:120 @ 2mA, 6V
Atual - Collector Cutoff (Max):100nA (ICBO)
Atual - Collector (Ic) (Max):150mA
Email:[email protected]

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