FDS8958B_G
Modelo do Produto:
FDS8958B_G
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N/P-CH 30V 6.4A/4.5A 8SO
Status de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
65971 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempo de produção:
4-8 weeks
Ficha de dados:
FDS8958B_G.pdf

Introdução

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Especificações

Número de peça interno RO-FDS8958B_G
Condição Original New
País de origem Contact us
Marcação superior email us
Substituição See datasheet
VGS (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-SO
Série:PowerTrench®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:26 mOhm @ 6.4A, 10V, 51 mOhm @ 4.5A, 10V
Power - Max:900mW
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:540pF @ 15V, 760pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:5.8nC @ 4.5V, 9.6nC @ 4.5V
Tipo FET:N and P-Channel
Característica FET:Standard
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição detalhada:Mosfet Array N and P-Channel 30V 6.4A, 4.5A 900mW Surface Mount 8-SO
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:6.4A, 4.5A
Email:[email protected]

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