FDS8958B_G
部品型番:
FDS8958B_G
メーカー:
ON Semiconductor
説明:
MOSFET N/P-CH 30V 6.4A/4.5A 8SO
RoHSステータス:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
65971 Pieces
配達時間:
1-2 days (We have stocks to ship now)
生産時間:
4-8 weeks
データシート:
FDS8958B_G.pdf

簡潔な

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規格

内部モデル RO-FDS8958B_G
状況 Original New
原産国 Contact us
トップマーク email us
代替案 See datasheet
同上@ VGS(TH)(最大):3V @ 250µA
サプライヤデバイスパッケージ:8-SO
シリーズ:PowerTrench®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):26 mOhm @ 6.4A, 10V, 51 mOhm @ 4.5A, 10V
電力 - 最大:900mW
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス:Lead free / RoHS Compliant
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:540pF @ 15V, 760pF @ 15V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:5.8nC @ 4.5V, 9.6nC @ 4.5V
FETタイプ:N and P-Channel
FET特長:Standard
ソース電圧(VDSS)にドレイン:30V
詳細な説明:Mosfet Array N and P-Channel 30V 6.4A, 4.5A 900mW Surface Mount 8-SO
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):6.4A, 4.5A
Email:[email protected]

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