FDS8958B_G
Número de pieza:
FDS8958B_G
Fabricante:
ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N/P-CH 30V 6.4A/4.5A 8SO
Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad en inventario:
65971 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tiempo de producción:
4-8 weeks
Ficha de datos:
FDS8958B_G.pdf

Introducción

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Especificaciones

Número de parte interno RO-FDS8958B_G
Condición Original New
País de origen Contact us
Marcado superior email us
Reemplazo See datasheet
VGS (th) (Max) @Id:3V @ 250µA
Paquete del dispositivo:8-SO
Serie:PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs:26 mOhm @ 6.4A, 10V, 51 mOhm @ 4.5A, 10V
Potencia - Max:900mW
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:540pF @ 15V, 760pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:5.8nC @ 4.5V, 9.6nC @ 4.5V
Tipo FET:N and P-Channel
Característica de FET:Standard
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción detallada:Mosfet Array N and P-Channel 30V 6.4A, 4.5A 900mW Surface Mount 8-SO
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:6.4A, 4.5A
Email:[email protected]

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