3SK293(TE85L,F)
- Modelo do Produto:
- 3SK293(TE85L,F)
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrição:
- FET RF 12.5V 800MHZ USQ
- Status de RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 73575 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tempo de produção:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- 3SK293(TE85L,F).pdf
Introdução
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Especificações
| Número de peça interno | RO-3SK293(TE85L,F) |
|---|---|
| Condição | Original New |
| País de origem | Contact us |
| Marcação superior | email us |
| Substituição | See datasheet |
| Tensão - Teste: | 6V |
| Tensão - M: | 12.5V |
| Tipo transistor: | N-Channel Dual Gate |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | USQ |
| Série: | - |
| Potência: | - |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | SC-82A, SOT-343 |
| Outros nomes: | 3SK293 (TE85L,F 3SK293 (TE85LF) 3SK293(TE85LF)TR 3SK293TE85LF |
| Fator de ruído: | 2.5dB |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Ganho: | 22dB |
| Freqüência: | 800MHz |
| Descrição detalhada: | RF Mosfet N-Channel Dual Gate 6V 10mA 800MHz 22dB USQ |
| Potência nominal: | 30mA |
| Atual - Teste: | 10mA |
| Email: | [email protected] |
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