2SK879-Y(TE85L,F)
2SK879-Y(TE85L,F)
Modelo do Produto:
2SK879-Y(TE85L,F)
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição:
JFET N-CH 0.1W USM
Status de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
72893 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempo de produção:
4-8 weeks
Ficha de dados:
2SK879-Y(TE85L,F).pdf

Introdução

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Especificações

Número de peça interno RO-2SK879-Y(TE85L,F)
Condição Original New
País de origem Contact us
Marcação superior email us
Substituição See datasheet
Tensão - Cutoff (VGS off) @ Id:400mV @ 100nA
Embalagem do dispositivo fornecedor:USM
Série:-
Power - Max:100mW
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:SC-70, SOT-323
Outros nomes:2SK879-Y (TE85L,F)
2SK879-Y(TE85LF)TR
Temperatura de operação:125°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:8.2pF @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Descrição detalhada:JFET N-Channel 100mW Surface Mount USM
Atual - Drenagem (Idss) @ Vds (Vgs = 0):1.2mA @ 10V
Email:[email protected]

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