2SJ360(F)
- Modelo do Produto:
- 2SJ360(F)
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrição:
- MOSFET P-CH 60V 1A SC-62
- Status de RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 30440 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tempo de produção:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- 1.2SJ360(F).pdf2.2SJ360(F).pdf
Introdução
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Especificações
| Número de peça interno | RO-2SJ360(F) |
|---|---|
| Condição | Original New |
| País de origem | Contact us |
| Marcação superior | email us |
| Substituição | See datasheet |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2V @ 1mA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | PW-MINI |
| Série: | - |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 730 mOhm @ 500mA, 10V |
| Dissipação de energia (Max): | 500mW (Ta) |
| Embalagem: | Bulk |
| Caixa / Gabinete: | TO-243AA |
| Temperatura de operação: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 155pF @ 10V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 6.5nC @ 10V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Característica FET: | - |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 4V, 10V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 60V |
| Descrição detalhada: | P-Channel 60V 1A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PW-MINI |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 1A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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