2SA1930,ONKQ(J
2SA1930,ONKQ(J
Modelo do Produto:
2SA1930,ONKQ(J
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição:
TRANS PNP 2A 180V TO220-3
Status de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
47690 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempo de produção:
4-8 weeks
Ficha de dados:
2SA1930,ONKQ(J.pdf

Introdução

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Especificações

Número de peça interno RO-2SA1930,ONKQ(J
Condição Original New
País de origem Contact us
Marcação superior email us
Substituição See datasheet
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):180V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:1V @ 100mA, 1A
Tipo transistor:PNP
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-220NIS
Série:-
Power - Max:2W
Embalagem:Bulk
Caixa / Gabinete:TO-220-3 Full Pack
Outros nomes:2SA1930ONKQ(J
2SA1930ONKQJ
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição:200MHz
Descrição detalhada:Bipolar (BJT) Transistor PNP 180V 2A 200MHz 2W Through Hole TO-220NIS
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:100 @ 100mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max):5µA (ICBO)
Atual - Collector (Ic) (Max):2A
Email:[email protected]

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