2SA1312GRTE85LF
Modelo do Produto:
2SA1312GRTE85LF
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição:
TRANS PNP 120V 0.1A S-MINI
Status de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
87458 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempo de produção:
4-8 weeks
Ficha de dados:
2SA1312GRTE85LF.pdf

Introdução

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Especificações

Número de peça interno RO-2SA1312GRTE85LF
Condição Original New
País de origem Contact us
Marcação superior email us
Substituição See datasheet
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):120V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 1mA, 10mA
Tipo transistor:PNP
Embalagem do dispositivo fornecedor:S-Mini
Série:-
Power - Max:150mW
Embalagem:Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Outros nomes:2SA1312GRTE85LFCT
Temperatura de operação:125°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição:100MHz
Descrição detalhada:Bipolar (BJT) Transistor PNP 120V 100mA 100MHz 150mW Surface Mount S-Mini
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:200 @ 2mA, 6V
Atual - Collector Cutoff (Max):100nA (ICBO)
Atual - Collector (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

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