HGTG10N120BND
- Part Number:
- HGTG10N120BND
- Producent:
- ON Semiconductor
- Opis:
- IGBT 1200V 35A 298W TO247
- Status RoHS:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Ilość w magazynie:
- 31082 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Czas produkcji:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- HGTG10N120BND.pdf
Wprowadzenie
We can supply HGTG10N120BND, use the request quote form to request HGTG10N120BND pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number HGTG10N120BND.The price and lead time for HGTG10N120BND depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# HGTG10N120BND.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Specyfikacje
| Wewnętrzny numer części | RO-HGTG10N120BND |
|---|---|
| Stan | Original New |
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Najlepsze oznaczanie | email us |
| Zastąpienie | See datasheet |
| Napięcie - kolektor emiter (Max): | 1200V |
| Vce (on) (Max) @ VGE, IC: | 2.7V @ 15V, 10A |
| Stan testu: | 960V, 10A, 10 Ohm, 15V |
| Td (wł. / Wył.) @ 25 ° C: | 23ns/165ns |
| Przełączanie Energy: | 850µJ (on), 800µJ (off) |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | TO-247 |
| Seria: | - |
| Odwrócona Recovery Time (TRR): | 70ns |
| Moc - Max: | 298W |
| Opakowania: | Tube |
| Package / Case: | TO-247-3 |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Typ wejścia: | Standard |
| Rodzaj IGBT: | NPT |
| brama Charge: | 100nC |
| szczegółowy opis: | IGBT NPT 1200V 35A 298W Through Hole TO-247 |
| Obecny - Collector impulsowe (ICM): | 80A |
| Obecny - Collector (Ic) (maks): | 35A |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do HGTG10N120BND
Latest Aktualności
- Onsemi wprowadziło na mosfet pierwszą opakowanie na poboczu na świecie 650 V
- Zestaw rozwojowy silnika ON Semiconductor koncentruje się przede wszystkim na wydajności energetycznej
- Platforma lidara ON Semiconductor z fotopowielaczem krzemowym (SiPM) z bezpośrednim czasem przelotu (dToF) zapewnia gotowe projekty do zastosowań przemysłowych
- ON Semiconductor i Theta Power Systems International nawiązują współpracę w zakresie aplikacji sterowania silnikami
- ON Semiconductor mianuje Hassane El-Khoury na następcę CEO (CEO)