HGTG10N120BND
- Cikkszám:
- HGTG10N120BND
- Gyártó:
- ON Semiconductor
- Leírás:
- IGBT 1200V 35A 298W TO247
- RoHS-állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- Mennyiség raktáron:
- 31082 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Termelési idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- HGTG10N120BND.pdf
Bevezetés
We can supply HGTG10N120BND, use the request quote form to request HGTG10N120BND pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number HGTG10N120BND.The price and lead time for HGTG10N120BND depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# HGTG10N120BND.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Műszaki adatok
| Belső rész száma | RO-HGTG10N120BND |
|---|---|
| Feltétel | Original New |
| Ország eredete | Contact us |
| Top jelölés | email us |
| Csere | See datasheet |
| Feszültség - Collector Emitter Breakdown (Max): | 1200V |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: | 2.7V @ 15V, 10A |
| Teszt állapot: | 960V, 10A, 10 Ohm, 15V |
| Td (be / ki) @ 25 ° C: | 23ns/165ns |
| Energiaváltás: | 850µJ (on), 800µJ (off) |
| Szállító eszközcsomag: | TO-247 |
| Sorozat: | - |
| Hátralévő helyreállítási idő (trr): | 70ns |
| Teljesítmény - Max: | 298W |
| Csomagolás: | Tube |
| Csomagolás / tok: | TO-247-3 |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Through Hole |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Lead free / RoHS Compliant |
| Bemeneti típus: | Standard |
| IGBT típus: | NPT |
| Gate Charge: | 100nC |
| Részletes leírás: | IGBT NPT 1200V 35A 298W Through Hole TO-247 |
| Jelenlegi - kollektoros impulzusos (Icm): | 80A |
| Áram - kollektor (Ic) (Max): | 35A |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az HGTG10N120BND-hoz
Latest News
- Az Onemi elindította a világ első útdíjcsomagolását 650 V -os szilícium -karbid MOSFET
- Az ON Semiconductor motoros fejlesztőkészlete elsősorban az energiahatékonyságra összpontosít
- Az ON Semiconductor szilícium fotomultikszorzója (SiPM) a közvetlen repülési idő (dToF) lidar platformja készen áll az ipari alkalmazásokhoz
- Az ON Semiconductor és a Theta Power Systems International partnerséget létesít a motorvezérlő alkalmazások terén
- Az ON Semiconductor kinevezi Hassane El-Khouryt utód vezérigazgatóvá (vezérigazgató)