Expert Nexperia 기본 반도체 구성 요소 분야에서 오늘날 650V, 10A SiC Schottky 다이오드의 출시가 공식적으로 고출력 실리콘 카바이드 (SIC) 다이오드 시장에 들어갔다. 고효율 전력 갈륨 질화물 (GaN) FET 용 고압 광역 반도체 장치 제품을 확장하는 전략적 이니셔티브입니다.

Nexperia의 첫 번째 SiC Schottky 다이오드는 산업용 등급 장치입니다. 650V (VRRM)의 역 피크 전압을 반복하고, 연속 순방향 전류는 초고성 성능, 고효율, 저전력 변환 응용 분무를 달성하기위한 것입니다. 이 일련의 다이오드 (DPAK R2P 및 D2PAK R2P) 또는 관통 구멍 (TO-220-2, TO-247) -2) 장치를 만들기 위해 더 높은 연면 거리를 갖는 순수한 이중 핀 (R2P) 패키지. 엔지니어링 샘플을 사용할 수 있으며 2022 년 2/4 분기에 완벽한 제품을 출시 할 계획입니다. Nexperia 프로그램은 650V 및 1200V 전압에서 6-20A 전류 범위에서 작동하는 총 72 개의 제품을 출시 할 것으로 예상되는 SIC 다이오드 제품 포트폴리오를 지속적으로 확장합니다.

사람들의 에너지 인식이 증가하고 있기 때문에 탁월한 효율성과 전력 밀도가 뛰어난 고출력 응용에 대한 수요가 점차 강합니다. 이와 관련하여 실리콘은 곧 물리적 한도에 도달합니다. Mark Roeloffen, Nexperia Bipolar 이산 장치의 총책임자는 다음과 같이 말했다 : "질화 갈륨 및 실리콘 카바이드 등가 반도체와 같은 거대한 애플리케이션의 엄격한 요구 사항을 충족시킬 수있어 원래 장비 제조업체에 더 높은 효율을 가져올 수 있습니다. 및 전력 밀도, 시스템 비용 절감 및 운영 비용. Nexperia의 광범위한 SiC 다이오드 제품 포트폴리오는 시장에 더 많은 선택과 편의를 제공합니다. "

Nexperia의 SiC Schottky 다이오드의 초기 목표 시장은 다음을 포함하여 산업 및 소비자 응용 프로그램입니다.

· 스위치 모드 전원 공급 장치 (SMPS)

· AC-DC 및 DC-DC 컨버터

· 배터리 충전 인프라

· 무정전 전원 공급 장치 (UPS)

· 광전지 인버터

Nexperia는 또한 다음과 같은 차량 전기 애플리케이션을 위해 모델 장치를 해제 할 계획입니다.

· 자동차 충전기 (OBC)

· 인버터

· 고전압 DC-DC 컨버터

SiC Schottky Diode 제품 조합은 Nexperia가 개발 한 PSC1065H (-j / -k / -l)를 통해 자동차 및 산업 시장의 요구를 충족시켜 새로운 PSC1065x (제품 사양 및 데이터 설명서 포함)의 추가 정보를 이해해야합니다. ) www.nexperia.com/sic_diodes를 방문하십시오