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Nexperia lance une nouvelle série de diodes de carbure de silicium hautes performances (SIC)

  • Auteur:ROGER
  • Libération sur:2021-12-06

Expert Nexperia Dans le domaine des composants de base à semi-conducteurs, a annoncé aujourd'hui le lancement de 650V, 10a sic Schottky Diode, a officiellement entré le marché de la diode de la carbure de silicium haute puissance (SIC). Il s'agit d'une initiative stratégique visant à élargir les produits de dispositifs à semi-conducteurs à grande pression à grande pression pour des fons de nitrure de gallium à haute efficacité (GAN).

La première diode SIC Schottky de Nexperia est un périphérique de qualité industrielle. Répétez la tension de pic inverse de 650V (VRRM), le courant avancé continu est 10a (si), destiné à atteindre des performances ultra-hautes, une efficacité élevée et une perte de conversion à faible puissance. Et un pack pure double broche (R2P) ayant une distance de fléchissement plus élevée pour rendre cette série de diodes (DPAK R2P et D2pAK R2P) ou un trou traversant (TO-220-2, TO-247) -2). Des échantillons d'ingénierie sont maintenant disponibles et sont prévus pour publier des produits complets au deuxième trimestre de 2022. Le programme Nexperia élargit en permanence le portefeuille de produits de la diode SIC, qui devrait lancer un total de 72 produits fonctionnant à des tensions de 650V et 1200V, une plage de courant 6-20A.

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La sensibilisation à l'énergie des personnes augmente, la demande d'applications de puissance élevées avec une excellente efficacité et une densité de puissance est de plus en plus forte. À cet égard, le silicium atteindra bientôt la limite physique. Mark Roeloffzen, directeur général de Dispositif discret bipolaire Nexperia Bipolaire, a déclaré: «Tels que les semi-conducteurs équivalents de nitrure de gallium et de carbure de silicium sont désormais en mesure de respecter les exigences strictes des applications massives, apportant une efficacité accrue des fabricants d'équipements d'origine. Et la densité de puissance, réduire les coûts du système. et les coûts d'exploitation. Le vaste portefeuille de produits de la diode SIC de Nexperia apportera plus de choix et commodités sur le marché. "

Le marché de la cible initiale de la diode SIC Schottky de Nexperia est des applications industrielles et des consommateurs, notamment:

· Alimentation du mode de commutation (SMPS)

· Convertisseurs AC-DC et DC-DC

· Infrastructure de charge de la batterie

· Alimentation ininterruptible (UPS)

· Inverter photovoltaïque

Nexperia envisage également de libérer un périphérique de modèle pour les applications d'électrification de véhicules, telles que:

· Chargeur de voiture (OBC)

· Inverter

· Convertisseur DC-DC haute tension

La combinaison de produits SIC SCHOTTKY DIODE pousse PSC1065H (-J / -K / -L), qui est développée par Nexperia pour répondre aux besoins des marchés automobiles et industriels, si vous devez comprendre plus d'informations sur la nouvelle PSC1065X (y compris les spécifications du produit et le manuel de données ), veuillez visiter www.nexperia.com/sic_diodes