TSM033NB04CR RLG
TSM033NB04CR RLG
제품 모델:
TSM033NB04CR RLG
제조사:
TSC (Taiwan Semiconductor)
기술:
MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH
수량 재고 있음:
75263 Pieces
배달 시간:
1-2 days (We have stocks to ship now)
생산 시간:
4-8 weeks
데이터 시트:
TSM033NB04CR RLG.pdf

소개

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규격

내부 부품 번호 RO-TSM033NB04CR RLG
조건 Original New
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아이디 @ VGS (일) (최대):4V @ 250µA
Vgs (최대):±20V
과학 기술:MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지:8-PDFN (5x6)
연속:-
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):3.3 mOhm @ 21A, 10V
전력 소비 (최대):3.1W (Ta), 107W (Tc)
포장:Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스:8-PowerLDFN
다른 이름들:TSM033NB04CRRLGTR
작동 온도:-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형:Surface Mount
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임:10 Weeks
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:5022pF @ 20V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:77nC @ 10V
FET 유형:N-Channel
FET 특징:-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On):10V
소스 전압에 드레인 (Vdss):40V
상세 설명:N-Channel 40V 21A (Ta), 121A (Tc) 3.1W (Ta), 107W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (5x6)
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):21A (Ta), 121A (Tc)
Email:[email protected]

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