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TK20V60W,LVQ
TK20V60W,LVQ
제품 모델:
TK20V60W,LVQ
제조사:
Toshiba Semiconductor and Storage
기술:
MOSFET N CH 600V 20A 5DFN
RoHS 현황:
무연 / RoHS 준수
수량 재고 있음:
59832 Pieces
배달 시간:
1-2 days (We have stocks to ship now)
생산 시간:
4-8 weeks
데이터 시트:
TK20V60W,LVQ.pdf
문의

소개

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내부 부품 번호 RO-TK20V60W,LVQ
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아이디 @ VGS (일) (최대):3.7V @ 1mA
Vgs (최대):±30V
과학 기술:MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지:4-DFN-EP (8x8)
연속:DTMOSIV
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):170 mOhm @ 10A, 10V
전력 소비 (최대):156W (Tc)
포장:Cut Tape (CT)
패키지 / 케이스:4-VSFN Exposed Pad
다른 이름들:TK20V60WLVQCT
작동 온도:150°C (TJ)
실장 형:Surface Mount
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부:Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:1680pF @ 300V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:48nC @ 10V
FET 유형:N-Channel
FET 특징:Super Junction
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On):10V
소스 전압에 드레인 (Vdss):600V
상세 설명:N-Channel 600V 20A (Ta) 156W (Tc) Surface Mount 4-DFN-EP (8x8)
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):20A (Ta)
Email:[email protected]

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