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SSM6L35FU(TE85L,F)
SSM6L35FU(TE85L,F)
제품 모델:
SSM6L35FU(TE85L,F)
제조사:
Toshiba Semiconductor and Storage
기술:
MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A US6
RoHS 현황:
무연 / RoHS 준수
수량 재고 있음:
39481 Pieces
배달 시간:
1-2 days (We have stocks to ship now)
생산 시간:
4-8 weeks
데이터 시트:
SSM6L35FU(TE85L,F).pdf
문의

소개

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내부 부품 번호 RO-SSM6L35FU(TE85L,F)
조건 Original New
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아이디 @ VGS (일) (최대):1V @ 1mA
제조업체 장치 패키지:US6
연속:-
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):3 Ohm @ 50mA, 4V
전력 - 최대:200mW
포장:Cut Tape (CT)
패키지 / 케이스:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
다른 이름들:SSM6L35FU(TE85LF)CT
작동 온도:-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형:Surface Mount
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부:Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:9.5pF @ 3V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:-
FET 유형:N and P-Channel
FET 특징:Logic Level Gate, 1.2V Drive
소스 전압에 드레인 (Vdss):20V
상세 설명:Mosfet Array N and P-Channel 20V 180mA, 100mA 200mW Surface Mount US6
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):180mA, 100mA
Email:[email protected]

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