SSM3K318R,LF
SSM3K318R,LF
제품 모델:
SSM3K318R,LF
제조사:
Toshiba Semiconductor and Storage
기술:
MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM
RoHS 현황:
무연 / RoHS 준수
수량 재고 있음:
83740 Pieces
배달 시간:
1-2 days (We have stocks to ship now)
생산 시간:
4-8 weeks
데이터 시트:
SSM3K318R,LF.pdf

소개

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규격

내부 부품 번호 RO-SSM3K318R,LF
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전압 - 테스트:235pF @ 30V
전압 - 파괴:SOT-23F
아이디 @ VGS (일) (최대):107 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (최대):4.5V, 10V
과학 기술:MOSFET (Metal Oxide)
연속:U-MOSIV
RoHS 상태:Tape & Reel (TR)
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):2.5A (Ta)
편광:SOT-23-3 Flat Leads
다른 이름들:SSM3K318R,LF(B
SSM3K318R,LF(T
SSM3K318RLF
SSM3K318RLFTR
작동 온도:150°C (TJ)
실장 형:Surface Mount
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임:16 Weeks
제조업체 부품 번호:SSM3K318R,LF
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:7nC @ 10V
IGBT 유형:±20V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:2.8V @ 1mA
FET 특징:N-Channel
확장 설명:N-Channel 60V 2.5A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-23F
소스 전압에 드레인 (Vdss):-
기술:MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):60V
용량 비율:1W (Ta)
Email:[email protected]

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