내부 부품 번호 | RO-SIHD5N50D-GE3 |
---|---|
조건 | Original New |
국가 원산지 | Contact us |
최고 마킹 | email us |
바꿔 놓음 | See datasheet |
전압 - 테스트: | 325pF @ 100V |
전압 - 파괴: | TO-252AA |
아이디 @ VGS (일) (최대): | 1.5 Ohm @ 2.5A, 10V |
과학 기술: | MOSFET (Metal Oxide) |
연속: | - |
RoHS 상태: | Tape & Reel (TR) |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 5.3A (Tc) |
편광: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
다른 이름들: | SIHD5N50D-GE3TR SIHD5N50DGE3 |
작동 온도: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
실장 형: | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
제조업체 부품 번호: | SIHD5N50D-GE3 |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: | 20nC @ 10V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs: | 5V @ 250µA |
FET 특징: | N-Channel |
확장 설명: | N-Channel 500V 5.3A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount TO-252AA |
소스 전압에 드레인 (Vdss): | - |
기술: | MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id): | 500V |
용량 비율: | 104W (Tc) |
Email: | [email protected] |