内部モデル | RO-SIHD5N50D-GE3 |
---|---|
状況 | Original New |
原産国 | Contact us |
トップマーク | email us |
代替案 | See datasheet |
電圧 - テスト: | 325pF @ 100V |
電圧 - ブレークダウン: | TO-252AA |
同上@ VGS(TH)(最大): | 1.5 Ohm @ 2.5A, 10V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
シリーズ: | - |
RoHSステータス: | Tape & Reel (TR) |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 5.3A (Tc) |
偏光: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
他の名前: | SIHD5N50D-GE3TR SIHD5N50DGE3 |
運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造元の部品番号: | SIHD5N50D-GE3 |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 20nC @ 10V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 5V @ 250µA |
FET特長: | N-Channel |
拡張された説明: | N-Channel 500V 5.3A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount TO-252AA |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | - |
説明: | MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 500V |
静電容量比: | 104W (Tc) |
Email: | [email protected] |