RN1413(TE85L,F)
제품 모델:
RN1413(TE85L,F)
제조사:
Toshiba Semiconductor and Storage
기술:
TRANS PREBIAS NPN 0.2W SMINI
RoHS 현황:
무연 / RoHS 준수
수량 재고 있음:
87757 Pieces
배달 시간:
1-2 days (We have stocks to ship now)
생산 시간:
4-8 weeks
데이터 시트:
RN1413(TE85L,F).pdf

소개

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규격

내부 부품 번호 RO-RN1413(TE85L,F)
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전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대):50V
IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대):300mV @ 250µA, 5mA
트랜지스터 유형:NPN - Pre-Biased
제조업체 장치 패키지:S-Mini
연속:-
저항기 -베이스 (R1):47 kOhms
전력 - 최대:200mW
포장:Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
다른 이름들:RN1413(TE85LF)TR
RN1413TE85,F
RN1413TE85F
RN1413TE85F-ND
RN1413TE85FTR
RN1413TE85FTR-ND
실장 형:Surface Mount
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임:11 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부:Lead free / RoHS Compliant
주파수 - 전환:250MHz
상세 설명:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount S-Mini
IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가:120 @ 1mA, 5V
전류 - 콜렉터 컷오프 (최대):100nA (ICBO)
전류 - 콜렉터 (IC) (최대):100mA
Email:[email protected]

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