내부 부품 번호 | RO-PI5101-01-LGIZ |
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조건 | Original New |
국가 원산지 | Contact us |
최고 마킹 | email us |
바꿔 놓음 | See datasheet |
아이디 @ VGS (일) (최대): | 800mV @ 1mA |
Vgs (최대): | ±5V |
과학 기술: | MOSFET (Metal Oxide) |
제조업체 장치 패키지: | 3-LGA (4.1x8) |
연속: | Picor® µRDS(on)FET® |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 0.45 mOhm @ 60A, 4.5V |
전력 소비 (최대): | 3.1W (Ta) |
포장: | Tube |
패키지 / 케이스: | 3-FLGA |
다른 이름들: | 1102-1078-5 PI5101-00-LGIZ PI510101LGIZ |
작동 온도: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
실장 형: | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL): | 4 (72 Hours) |
무연 여부 / RoHS 준수 여부: | Lead free / RoHS Compliant |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: | 7600pF @ 5V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs: | 65nC @ 4.5V |
FET 유형: | N-Channel |
FET 특징: | - |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): | 3.5V, 4.5V |
소스 전압에 드레인 (Vdss): | 5V |
상세 설명: | N-Channel 5V 60A (Ta) 3.1W (Ta) Surface Mount 3-LGA (4.1x8) |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id): | 60A (Ta) |
Email: | [email protected] |