내부 부품 번호 | RO-MB9BF106NPMC-G-JNE1 |
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조건 | Original New |
국가 원산지 | Contact us |
최고 마킹 | email us |
바꿔 놓음 | See datasheet |
전압 - 공급 (VCC / Vdd에): | 2.7 V ~ 5.5 V |
제조업체 장치 패키지: | 100-LQFP (14x14) |
속도: | 80MHz |
연속: | FM3 MB9B100 |
RAM 크기: | 64K x 8 |
프로그램 메모리 유형: | FLASH |
프로그램 메모리 크기: | 512KB (512K x 8) |
주변: | DMA, LVD, POR, PWM, WDT |
포장: | Tray |
패키지 / 케이스: | 100-LQFP |
다른 이름들: | 865-1114 865-1114INACTIVE 865-1114INACTIVE-ND |
발진기 유형: | Internal |
작동 온도: | -40°C ~ 85°C (TA) |
I / O 수: | 80 |
수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
무연 여부 / RoHS 준수 여부: | Lead free / RoHS Compliant |
EEPROM 크기: | - |
상세 설명: | ARM® Cortex®-M3 FM3 MB9B100 Microcontroller IC 32-Bit 80MHz 512KB (512K x 8) FLASH 100-LQFP (14x14) |
데이터 컨버터: | A/D 16x12b |
코어 크기: | 32-Bit |
코어 프로세서: | ARM® Cortex®-M3 |
연결: | CSIO, EBI/EMI, I²C, LINbus, UART/USART |
Email: | [email protected] |