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IXFX21N100F
IXFX21N100F
제품 모델:
IXFX21N100F
제조사:
IXYS RF
기술:
MOSFET N-CH 1000V 21A PLUS247-3
RoHS 현황:
무연 / RoHS 준수
수량 재고 있음:
79055 Pieces
배달 시간:
1-2 days (We have stocks to ship now)
생산 시간:
4-8 weeks
데이터 시트:
IXFX21N100F.pdf
문의

소개

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규격

내부 부품 번호 RO-IXFX21N100F
조건 Original New
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아이디 @ VGS (일) (최대):5.5V @ 4mA
Vgs (최대):±20V
과학 기술:MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지:PLUS247™-3
연속:HiPerRF™
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):500 mOhm @ 10.5A, 10V
전력 소비 (최대):500W (Tc)
포장:Tube
패키지 / 케이스:TO-247-3
작동 온도:-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형:Through Hole
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임:14 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부:Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:5500pF @ 25V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:160nC @ 10V
FET 유형:N-Channel
FET 특징:-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On):10V
소스 전압에 드레인 (Vdss):1000V
상세 설명:N-Channel 1000V 21A (Tc) 500W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):21A (Tc)
Email:[email protected]

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