GA20JT12-263
GA20JT12-263
제품 모델:
GA20JT12-263
제조사:
GeneSiC Semiconductor
기술:
TRANS SJT 1200V 45A
RoHS 현황:
무연 / RoHS 준수
수량 재고 있음:
35447 Pieces
배달 시간:
1-2 days (We have stocks to ship now)
생산 시간:
4-8 weeks
데이터 시트:
GA20JT12-263.pdf

소개

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내부 부품 번호 RO-GA20JT12-263
조건 Original New
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아이디 @ VGS (일) (최대):-
Vgs (최대):-
과학 기술:SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
제조업체 장치 패키지:D2PAK (7-Lead)
연속:-
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):60 mOhm @ 20A
전력 소비 (최대):282W (Tc)
포장:Tube
패키지 / 케이스:TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
다른 이름들:1242-1189
GA20JT12-247ISO
GA20JT12247ISO
작동 온도:175°C (TJ)
실장 형:Surface Mount
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임:18 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부:Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:3091pF @ 800V
FET 유형:-
FET 특징:-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On):-
소스 전압에 드레인 (Vdss):1200V
상세 설명:1200V 45A (Tc) 282W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead)
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):45A (Tc)
Email:[email protected]

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